Láser Avanxel

Características técnicas del
Láser de Diodo

LÁSER DE DIODO

  • Tipo alta potencia clase IV
  • Potencia de emisión 1.000 W
  • Espectro de emisión 808 nm
  • Área de spot 13mm x 13m (169 mm2)
  • Energía máxima cm2 138 J/cm2
  • Duración del pulso 10 ms a 400 ms
  • Frecuencia de pulso 1 Hz a 10 Hz
  • Contacto óptico de Zafiro -3 °C

TÉCNICAS

  • Fuente láser de 10 Barras Diode USA / bars 100W
  • Refigeración Radiador GERMAN / semiconductor
  • Pantalla 8,4 LCD táctil a color

ELÉCTRICAS

  • Tensión de alimentación 220-230 VAC
  • Frecuencia 50/60 Hz
  • Consumo Máximo 2.000 W
  • Clasificación láser CE Tipo IV
  • Clasificación según norma de seguridad CE Clase 1
  • Grado de protección contra choque eléctrico CE Type BF

MECÁNICAS

  • Peso 55 Kg
  • Altura 135 cm
  • Ancho 48 cm
  • Profundidad 55 cm.

CONDICIONES AMBIENTALES DE FUNCIONAMIENTO

  • Temperatura 5 ºC a 40 ºC
  • Humedad relativa < 80%
  • Presión atmosférica 860 hpa hasta 1.060 hpa

CONDICIONES AMBIENTALES DE CONSERVACIÓN

  • Temperatura 0 ºC a 50 ºC
  • Humedad relativa < 100%
  • Presión atmosférica 500 Kpa hasta 1.060 hpa